相变存储器顺利地朝向低操作电压、高编程速度、低功耗、廉价和高寿命(10:~1011)的方向发展,这种技术有望在未来取代NOR/NAND甚至是DRAM。 TA2157FN相变存储器最常见的材料是在“蘑菇”形单元(见图3.23)中的带有掺杂(一些N和O)的GsT硫化物合金(一种介于GeTe和Sb2T⒐之间的伪二元化合物)。减小单元结构中用于转换无定形(高阻)和晶化(低阻)状态的底部加热器尺寸和材料的临界体积可以获得更小的RESET电流。结晶化和结构弛豫的原理最终限制了尺寸和可靠性[34],超薄的相变材料厚度为3~10nm。丁艺流程如图3.2茌所示。PCRAM单元可以在钨塞上制成,其代价是仅仅在BE()L中增加一块掩模版,其他所有流程与标准CMC)S流程一致.