FeRAM[23~2r基于电容中的铁电极化,(相对于传统的浮栅闪存)有低功耗、低操作电压(1V)、T7525SEC高写寿命(1012)和编程快((100ns)等优点。铁电MiM电容(见图3.21)可与后端制程(BEOI')集成,电容被完全封闭起来(避免由磁场强度引起的退化)。铁电电容的丁艺流程如图3,22所示。FeRAM中研究最多的材料是PZT(PbZrxTixO3),SBT(SrBi2T助09),BTO(B⒈TL O12),它们拥有抗疲劳、工艺温度低、记忆性好、剩余极化高等令人满意的特性[2:]。~晶体管一电容(1T1C)(作为非挥发存储单元)的单元结构是最常用的;而1T2C和2T2C单元则对丁艺偏差有更强的适应性,并有更好的性能[29]。需要注意的是拥有铁电栅介质的FET单元由于较差的记忆性(几小时或几天)而使其应用受到限制L25],并且与前端制程(FEOL)不兼容。