闪存[20~22]自1990年以来就作为主流NVM被迅速推动发展,这也归结于数据非易失性存储、 T7296IW高速编程/擦写、高度集成等方面快速增长的需求。闪存是基于传统的多层浮栅结构(比如MOSFET的多层栅介质),通过存储在浮栅上的电荷来调制晶体管的阈值电压(代 表数据1和0)。写和擦除的操作就简单对应为浮栅上电荷的增加和去除。目前的闪存大体有NOR与NAND两种结构,它们的集成度已达到Gb量级,但局限也非常明显,比如高操作电压(10V),慢擦写速度(1ms)和较差的耐久性(105)[21]。目前的NAND市场已经超越了DRAM在⒛06年时的市场容量。图3.19说明了一种典型双浮栅单元(被称作ETox单元)的工艺流程。这种浮栅单元(ETox)的尺寸很难降到45nm节点,特别是于浮栅的缘故导致相邻单元之间的干扰随尺寸减小而增大。图3。⒛展示了最新的进展[22],包括SONOS单元、电荷陷阱式TANOS单元、带隙工程SONOS单元等,其中带隙工程SONC)S单元中,氮化层是用作电荷陷阱的(代替ETox单元中的浮栅)。