肖特基势垒栅场效应晶体管
发布时间:2017/10/11 22:19:39 访问次数:2072
1966年,一种金属一半导体场效应管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后实现,它在结构上与结型场效应管(JFET)类似,OB3370NCPA不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极,而是采用金属-半导体接触所构成的肖特基势垒结的方式形成栅极,如图1,12所示,其沟道通常由化合物半导体构成,它的速度比由硅制造的结型场效应管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相对更高。但是金属一半导体接触可以在较低温度下形成,可以采用GaAs衬底材料制造出性能优良的晶体管。
图1,12 N型MESFET场效应晶体管结构示意图
1966年,一种金属一半导体场效应管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后实现,它在结构上与结型场效应管(JFET)类似,OB3370NCPA不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极,而是采用金属-半导体接触所构成的肖特基势垒结的方式形成栅极,如图1,12所示,其沟道通常由化合物半导体构成,它的速度比由硅制造的结型场效应管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相对更高。但是金属一半导体接触可以在较低温度下形成,可以采用GaAs衬底材料制造出性能优良的晶体管。
图1,12 N型MESFET场效应晶体管结构示意图
相关技术资料- 10-11肖特基势垒栅场效应晶体管
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