氮化硅薄膜可以通过化学气相沉积和原子层沉积法的方法获得,化学气相沉积法一般有低压化学气相沉积氧化工艺、增强等离子体化学气相层积等, N4551常见的机器有多片垂直氮化沉积炉管(TEI'或KE)、单片腔体式的沉积机器(应用材料公司)和原子层沉积机器(KE)。但原子层沉积法获得的氮化膜使用比较少。

   化学气相沉积法使用的氮源一般为NH3,硅源有⒏H4,SiH2C12(dichlorosilane,DCS),S1C16(hexachlorodisilane,HCD),BTBAS(二丁基胺硅烷,⒏s(tertiarybutylamino)silicate),TDMAS(t⒒s(dimethylami11o)silane)等[21。通过LPCVD多片垂直炉管或单片机器得到氮化硅薄膜的方法有:

   DCS+NH3―→⒏3N1(固态)+副产物(气态×600~800℃)

   BTBAs+NH3―→S圮N1(固态)+副产物(气态×450~600℃)

   通过增强等离子体化学气相层积PEC、0单片腔体式的沉积机器得到氮化硅薄膜的方法有:⒏H4+NH3―→S吨N1(固态)+副产物(气态×450~600℃)两种获得氮化膜的方法的主要优缺点如表4,3所示。

   表4.3 化学气相沉积法和原子层沉积法的主要优缺点