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正向阻断峰值电压2017/11/8 12:09:17
2017/11/8 12:09:17
正向阻断峰值电压A4989SLDTR-T指在门极开路和正向阻断条件下,可以重复加在晶闸管两端上的正向电压峰值。反向阻断峰值电压【,RRM...[全文]
人体电阻作为三极管的偏置电阻2017/11/8 12:03:50
2017/11/8 12:03:50
另外,也可以A4982SLPT利用人体实现偏置,判别发射极E、集电极C管脚。方法是用双手分别握紧两个表笔的金属部分和三极管的发射极E、集电极C管脚,然后用舌尖接触三极管的基极B。人体电阻作为三极...[全文]
65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法 2017/11/7 21:37:52
2017/11/7 21:37:52
65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法在技术节点从90nm向65nm/45nm转变过程中,由于集成度的变化,对湿法清洗的主要影响是NiSi中Pt的引人,因为Pt相对Ni...[全文]
氧化硅湿法刻蚀2017/11/6 21:34:48
2017/11/6 21:34:48
氧化硅的膜层有很多种,生成方式不同,膜层特性也不一样。一般生成方式有炉管和化学气相沉积(CVD)等,S912XEP100J5MAG其膜层密度有较大差异。炉管的膜层应用于制程最初的热氧化层、NP井...[全文]
有机物、金属、颗粒的去除(SC1):2017/11/6 21:19:21
2017/11/6 21:19:21
有机物、金属、颗粒的去除(SC1):这一步是在(1)或(1)+(2)的基础上使用,或单独使用,以去除少量吸附的有机物,络合一、二、八副族金属(如Cu,Ag,Au,Cd,Co,Ni等),SCl可氧...[全文]
先进的刻蚀工艺控制 2017/11/5 17:17:34
2017/11/5 17:17:34
传统的刻蚀工艺常常依赖于一个固定的工艺程式以及经典的统计过程控制(SPC)。但QT2022-PRG-IC2是,SPC经常无法满足正态分布,它的不确定性可以放宽故障限制,降低了敏感性,使误报警上升...[全文]
栅侧墙刻蚀2017/11/4 11:26:25
2017/11/4 11:26:25
如图8.20所示,侧墙是一个用来限定LDr)结和深源/漏结宽度的自对准技术。MC908QY4ACPE它的宽度、高度和物理特性,成为等比例缩小CM(E技术的关键。为了缓解结等比例缩小趋势,并不以结...[全文]
进行剂量补偿是刻蚀后检查(AEI)CDU改善的成熟方法2017/11/2 20:45:04
2017/11/2 20:45:04
在显影后检查(ADI)CD,进行剂量补偿是刻蚀后检查(AEI)CDU改善的成熟方法。图8.16(a)显示的是一款65nm产品为了改善多晶硅栅的CDU,进行ADI补偿的过程。M74HC563RM1...[全文]
干法刻蚀的度量2017/11/1 19:55:02
2017/11/1 19:55:02
槽刻蚀被用来演示刻蚀工艺评价中常用的度量方法。所有的千法刻蚀T艺通常是由四个基本状态构成:刻蚀前,部分刻蚀,刻蚀到位和过刻蚀。OADM239A219它们的主要特性有刻蚀速率、选择性、深宽比、终点...[全文]
平行板型的刻蚀机可以是顶部或者是底部电容耦合2017/11/1 19:53:00
2017/11/1 19:53:00
平行板型的刻蚀机可以是顶部或者是底部电容耦合的,顶部功率反应器称作平行板,它OADM233A209LX04可以导致刻蚀具有方向性,但还不是完全意义L的各向异性刻蚀。这类反应器也经历过从批量刻蚀(...[全文]
干法刻蚀机的发展2017/11/1 19:49:09
2017/11/1 19:49:09
如图8.2所示,过去35年干法刻蚀机发展的历史是以开发反应器结构和增强各种物理化学参数的控制功能为标志的。OA1530-32-OUTH在等离子刻蚀I艺中,第一次提出平行板反应离子刻蚀(RIE)概...[全文]
刻蚀是当今世上最大的制造业2017/11/1 19:46:30
2017/11/1 19:46:30
刻蚀是当今世上最大的制造业超大规模集成电路(UL⒏)制造中影响重大且至关重要的技术之一。O4FMNBMTTNATFT在集成电路(IC)制造中,刻蚀是一种在暴露的硅衬底或晶圆表面未保护的薄膜...[全文]
亚衍射散射条2017/10/30 21:52:57
2017/10/30 21:52:57
两束光成像相比三束光成像具有更大的焦深,对于孤立的图形,由于进人光瞳的衍射级非常多,换句话说,UC3842其衍射谱是连续的,其焦深比密集图形要小。那么,如何提高孤立图形的焦深呢?在20世纪90年...[全文]
酚醛树脂-二氮萘醌光刻胶中的二氮萘醌的光化学反应结构2017/10/30 21:27:14
2017/10/30 21:27:14
光刻胶一般由以下几大组成成分构成:主聚合物主干(backbonepolymer)、光敏感UC2813D-3成分(PhotoactiveCompound,PAC)、刻蚀阻挡基团(etchingre...[全文]
光刻胶配制原理2017/10/30 21:25:01
2017/10/30 21:25:01
这里只讨沦一些基本的光刻胶内容,具体的请见专门的章节。这里介绍光刻胶的类型、UA7812C光刻胶的原理以及光刻胶的简单模型。光刻胶首先可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在给...[全文]
彗星像差2017/10/30 21:19:58
2017/10/30 21:19:58
彗星像差(coma),简称彗差。是一种U4065B-MFLG3非对称像差。最低阶的是zi(X方丨句)、Z:(Y方向),如图7.77(a)所示,在离轴的位置上,光线经过透镜的不同部位聚焦在不同位置...[全文]
光刻机原理介绍2017/10/29 13:57:39
2017/10/29 13:57:39
一台光刻机可分为几大系统:硅片输运分系统(waferhndlcrsu⒍wstem)、硅片平台V80102MS02Q(PB)分系统(w盯er鼓agesu⒈wstem)、掩膜版输运分系统(rctid...[全文]
一维周期性光栅在相干照明条件下的成像 2017/10/29 13:37:58
2017/10/29 13:37:58
对于光刻成像模型,我们先要讨论一下光的衍射(diffraction)和干涉(interference)。为V61C32P-70了讨论一般性原理,我们讨论一维周期性光栅在相干照明条件下的成像。所谓...[全文]
光刻成像模型,调制传递函数2017/10/29 13:35:01
2017/10/29 13:35:01
光刻是通过镜头将掩膜版上的图像成像到涂有光刻胶的硅片上。现代光刻机的光学系统分为照明系统和成像系统。照明系统的主要功能是将光源输出的光进行调整,V52C4258Z70以实现不同的部分相干(oar...[全文]
对于普通电阻器,其检测方法如下2017/10/28 10:27:10
2017/10/28 10:27:10
对于普通电阻器,其检测方法如下。(1)根据电阻器上的色环标示或文字标示读出该电阻器的标称阻值。R05E05(2)将数字万用表挡位调至欧姆挡,根据电阻器的标称阻值确定量...[全文]
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