这里只讨沦一些基本的光刻胶内容,具体的请见专门的章节。这里介绍光刻胶的类型、 UA7812C光刻胶的原理以及光刻胶的简单模型。

   光刻胶首先可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在给予一定量的曝光之后,在显影液里面的溶解率会显著升高。而负性光刻胶正好相反,在经过曝光之后,变得很难溶解于显影液。在硅片曝光机出现之前,负性光刻胶主导着半导体光刻工艺「mJ。但是,由于负性光刻胶通过光化学反应实现小分子的交联(cross hnking)来降低在有机溶剂(显影液)中的溶解率,不呵避免地会在显影过程当中吸收显影液并且造成膨胀(swelling),对于分辨率要求较高的丁艺会造成困难;而且,用作显影液的有机溶剂在使用与废弃方面也面临不小挑战;此外这种光刻胶容易在空气中被氧化,导致了现代I业当中绝大多数光刻胶都是正性光刻胶。进人了深紫外时代(248nm、193nm),由于负性光刻胶在分辨率与灵敏度方面的矛盾:一方面,我们需要负性光刻胶的高灵敏度,稍微有一点光就能够改变在显影液中的溶解率;另一方面,我们又需要其在空问像定义的没有光的地方不留下光刻胶残留。高灵敏度会导致在空间像定义的没有光的地方(实际上没有空间像会造就完全没有光的地方,少有空问像具有100%对比度)产生一定程度的被曝光,导致显影不完全。而正性光刻胶就没有这个问题。正性光刻胶高灵敏度比较容易实现,因为它只需要在空间像定义的有光的地方大部分光刻胶被曝光,就可以将整块地方被显影液冲走(像拆大楼),而不像负性光刻胶,需要对在空问像定义的有光的地方最大限度地曝光,以形成可以抵御显影的坚固的区域(像建大楼)。