在显影后检查(ADI)CD,进行剂量补偿是刻蚀后检查(AEI)CDU改善的成熟方法。图8.16(a)显示的是一款65nm产品为了改善多晶硅栅的CDU,进行ADI补偿的过程。M74HC563RM13TR在已知片内的AEI CD分布的情况下,对ADI CD分布进行补偿,可以在晶圆边缘处增大CD。这样可以改善AH CD分布。然而,尽管这种方法应用起来并不复杂,但ADI补偿不能解决多晶硅栅极底部形状的负载,并很容易引入更多的疏/密负载。在刻蚀方面,Barc(底部抗反射涂层)打开这步△艺,是同时改进那些关键参数中的主要手段之一。r)OE(实验设计)在此步中是必不可少的,用来在偏置电压、腔室压力和晶圆温度中选择最佳条件,得到更好的CDU、TPEB和I'WR。晶圆温度对CDU的影响非常明显。在Barc打开步骤中,不同的温度可以改变片内Barc打开行为,从而改变片内多晶硅栅的CDU,如图8.16(b)(65nm栅刻蚀)所示。对于TPEB,高压和低偏置是好的组合。然而,这个条件使I'WR恶化。因此,在Barc打开这一步,I'WR的改善不得不关注不同的气体组合。图8.17(a)显示的是对于LWR的改善,采用HBr一基做Barc打开好于C12一基。主要的机理可归因于HBlˉ基的条件可以提供更强的光刻胶的侧墙保护。如图8,17(b)所示,所需要的TPEB(<3nm)的表现可以基于实验设计的方法得到。