氧化硅的膜层有很多种,生成方式不同,膜层特性也不一样。一般生成方式有炉管和化学气相沉积(CVD)等, S912XEP100J5MAG其膜层密度有较大差异。炉管的膜层应用于制程最初的热氧化层、NP井和PB井离子植人的牺牲层、闸介电层等,特点是在硅基体上生长氧化硅、热预算高、膜层致密、品质好;CVD的膜层用于潜沟槽隔离(STI)、闸副侧壁(()F「sET)、闸主侧壁 (sPACER)、最初金属介电层(PMI))、金属内介电层(IMD)等,主要有前段制程的电浆增强型CVD膜(I)ECVD)、电浆增强型四乙氧基硅烷膜(PEt′E(s)、低温氧化硅(1'TO)、90m1以下使用的高密度电浆膜(HDP)、钅5nm以下的高深宽比制程膜(HARP)和后端制程的90nn1以下的黑钻石膜(BD)、氮植人碳化硅膜(NI)C)、45nm以下的超低介电常数膜(UI'K),这些膜的特点是松软、热预算低、品质相对炉管稍差。膜层由于使用地方不一样,有些需要经过热退火,有些需要经过离子植人后冉退火c因而,刻蚀速率会受到薄膜的组成、密度、溶液浓度和离子植人深浅等闪素影响。一般来讲,炉管氧化硅最致密,刻蚀速率小于CVD膜层;退火的膜层刻蚀速率小于没退火的膜层;对丁UI'K膜和NI)C膜,其含有碳或氮,湿法刻蚀率相对很低。