槽刻蚀被用来演示刻蚀工艺评价中常用的度量方法。所有的千法刻蚀T艺通常是由四个基本状态构成:刻蚀前,部分刻蚀,刻蚀到位和过刻蚀。OADM239A219它们的主要特性有刻蚀速率、选择性、深宽比、终点探测、关键尺寸(CI))、均匀性和微负载。

   刻蚀速率是指目标材料的去除率。选择比被定义为薄膜的刻蚀速率勹衬底或者掩膜的刻蚀速率的比值。薄膜B是刻蚀停止层,被用来减少在整个晶圆内所有结构上要承担的过刻蚀负载,通常较高的选择性作为此步骤的首选c过刻蚀是由于刻蚀的不均匀性和/或生Κ的薄膜不平所造成的。不是所有的日标材料都可以在同一时问内从晶圆上去除,l,xl此过刻蚀是必要的。这时刻蚀在未完成的区域继续去除目标材料,而在已经完成的区域几乎停止。深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD的比值,高的深宽比容易使刻蚀停止。在刻蚀机 中,终点探测是一个关键的控制方法,用来确保以最小的或者是所希望的目标材料以下的过刻蚀量将所有的目标材料从晶圆表面刻蚀掉。这种技术在等离子刻蚀过程中监测特定的光发射强度的变化,刻蚀机可以在某一特定的强度变化时被触发停止刻蚀,以此标志刻蚀的完成。AEI(刻蚀后检测)CD是IC制造中的一个重要指标,通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联.包括有浅槽隔离的间隙、品体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。