曝光能量宽裕度,归一化图像对数斜率(NILs)

   在第二节中提到:曝光能量宽裕度(EL)是指在线宽允许变化范围内,曝光能量允许的最大偏差。TA7506M它是衡量光刻工艺的一项基本参数。图7.13(a)表示光刻图形随曝光能量和焦距的变化规律。图7.13(b)表示在一片硅片上曝出不同能量和焦距的二维分布测试图案,它像一个矩阵一样,又叫做焦距能量矩阵(F°cus Exposure MatⅡx,FEM)。此矩阵用来测量光刻工艺在某个或者某几个图形上的工艺窗口,如能量宽裕度、对焦深度。如果加上掩膜版上的特殊测试图形,焦距能量矩阵还可以测量其他有关工艺和设各的性能参数,如光刻机镜头的各种像差、杂光(flare)、掩膜版误差因子、光刻胶的光致酸扩散长度、光刻胶的灵敏度、掩膜版的制造精度等。