如图8.20所示,侧墙是一个用来限定LDr)结和深源/漏结宽度的自对准技术。MC908QY4ACPE它的宽度、高度和物理特性,成为等比例缩小CM(E技术的关键。为了缓解结等比例缩小趋势,并不以结电阻为代价来减小重叠电容,在栅的侧壁形成了偏移间隔,从90nm CM(EI艺节点以后,它已经得到广泛的应用。需要谨慎地平衡偏移间隔和源/漏扩展,以避免源到漏的重叠不够造成的驱动电流损失或者明显的短沟效应。为了在采川偏移问隔CM()SI艺屮得到可以接受的重复性和参数离散.偏移问隔宽度的均匀性必须控制在至少小于1nm。更宽的侧墙可以减少短沟效应,降低侧墙下面的寄生源/漏电阻,并月~更能耐受造成二极管漏电

流加大的NiSi的横向过生长,或者接触刻蚀钉子效应,但它限制F侧埔宽度的缩小,并且对硅化物的形成和层间介质间隙的填充提出丁挑战。除此之外,在不同图形尺寸和密度的情况下,侧墙材料沉积保形性较差・也会对侧墙的宽度和高度的均匀性产生不良影响。