对于高端器件。 MC74LVX4245DWR2多晶硅栅上任何小的缺口或者脚都会改变栅的有效长度,从而对器件性能产生显著的影响。两个有前途的双多晶硅栅图形化方案(纯光刻胶和△层结构图形化),都是产牛聚合物多的I艺。这容易导致多晶硅栅出现小脚的问题,特别是在过刻蚀过程中,由于要求硅凹陷尽可能小,轰击的能量就比较低。传统的调整方法,在不引人小缺凵的情况下,无法有效地阻止这类小脚的生成(每侧(1nm)。图8.19(b)帚示的是当本征薄膜应力变为更大的压缩应力时.底部形状响应演变的过程,从小脚(1nn1),到几乎无小脚,到小缺口。多晶硅薄膜C的斥缩应力比多晶硅薄膜A大△倍。所有∷种情况都是在相同的刻蚀条件,采川单层光刻胶图形化。这个结果指出,局部的刻蚀叮能会取决于多品硅薄膜、衬底界面处的应力,优化多品薄膜的本征应力,有可能减小甚至是消除多晶硅栅的脚。

   除了上述问题,线边缘的收缩和栅刻蚀后出现的硅凹陷也引起了更多关注。前者是由在线的端头的二维刻蚀造成的,后者源白过刻蚀步骤中的硅的氧化/消耗。二者可分别通过栅刻蚀的底部抗反射涂层打开步骤和过刻蚀步骤得到某种程度的改进。