结型场效应晶体管(J ul.ction Fiel扯Effect Transistor,JFET)是在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区,并将它们连接在一起,所引出的电极称为栅极(G),N型半导体两端分别引出两个电极,分别称为漏极(D)和源极(S),如图1.l1所示。 OB3330XCPA结型场效应晶体管通过栅极电压改变两个反偏PN结势垒的宽度,并囚此改变沟道的长度和厚度(栅极电压使沟道厚度均匀变化,源漏电压使沟道厚度不均匀变化),进而调节沟道的导电性来实现对输出电流的控制,是具有放大功能的三端有源器件,也是单极场效应管中最简单的一种,它可以分N沟道或者P沟道两种。

   图1.11 N型JFET场效应晶体管结构示意图

   结型场效应晶体管分为耗尽型(9JFET),即在零栅偏压时就存在有沟道以及增强型(⒌JFET),在零栅偏压时不存在沟道两种JFET。JFET导电的沟道在体内,耗尽型和增强型这两种晶体管在I艺和结构上的差别主要在于其沟道区的掺杂浓度和厚度。JFET的沟道的掺杂浓度较高、厚度较大,以至于栅PN结的内建电压不能把沟道完全耗尽;而

JFET的沟道的掺杂浓度较低、厚度较小,贝刂栅PN结的内建电压即可把沟道完全耗尽。