对于耗尽型的JFET,在平衡时(不加电压)时,沟道电阻最小;电压VDs和V。s都可改变栅PN结从而导致】Is变化,OB3352CPA以实现对输入信号的放大。当Vl“较低时,JFET的沟道呈现为电阻特性,是所谓电阻T作区,这时漏极电流基本上随着电压VDs的增大而线性上升,但漏极电流随着栅极电压V(^的增大而平方式增大;进一步增大VDs日寸,沟道即首先在漏极一端被夹断,则漏极电流达到最大而饱和,进入饱和放大区,这时JfET呈现为一个恒流源。

   JFET的特点:①是电压控制器件,则不需要大的信号功率。②是多数载流子导电的单极晶体管,无少子存储与扩散问题,速度高,噪音系数低;而且漏极电流JJs的温度关系取决于载流子迁移率的温度关系,则电流具有负的温度系数,器件具有自我保护的功能。③输人端是反偏的PN结,则输入阻抗大,便于匹配。④输出阻抗也很大,呈现为恒流源,这与BJT大致相同。⑤JFET一般是耗尽型的,但若采用高阻衬底,也可得到增强型JFET(增强型JFET在高速、低功耗电路中很有应用价值);但是一般只有短沟道的JFET才是能很好丁作的增强型器件。实际上,静电感应晶体管也就是一种短沟道的J「ET。⑥沟道是处在半导体内部,则沟道中的载流子不受半导体表面的影响,因此迁移率较高、噪声较低。