图6,6是标准的Endura物理气相沉积(PVD)镍铂合金薄膜的机台结构,主要包括工部分:预清洁处理腔(prcdean)、镍铂(N←Pt)合金薄膜沉积腔和盖帽层(cap larr)TiN沉积腔。其中根据具体工艺需要,每种腔室可以有一个或多个,TC74HC4075AP以达到最佳的工艺速度。这些I艺腔室被集成在两个较大的公用腔室上,所有的腔室都是高真空的,要达到106托以下,并采用逐级真空,其中,反应腔的真空度最高。工艺过程中,硅片(wafer)先进人预清洁处理腔,以去除硅片表面的自然氧化物(native oxide),然后进人镍钅自合金薄膜沉积腔沉积一层镍-铂合金薄膜,最后进人TiN沉积腔生成盖帽层。下面对这二种工艺腔进行详细描述。