光刻机的找平一般有以下两种模式:

   (1)平面模式;在曝光区域上或者整片硅片上测量若干点的高度,然后根据最小二乘法定出平面; TA75393F

   (2)动态模式(扫描式光刻机专有):对扫描的狭缝区域内若干点进行动态的高度测量,然后沿着扫描方向不断地补偿。当然需要知道,找平的反馈是通过硅片平台的上下移动和沿非扫描方向倾斜来实现的,它的补偿只能够是宏观的,一般在毫米级。而且在非扫描方向(X方向),只能够按照一阶倾斜来处理,任何非线性的弯曲(比如镜头像场弯曲和硅片翘 曲)是无法补偿的,如图7:21所示。

   在动态模式下,有些光刻机还可以对硅片边缘的非完整曝光区域(sl1ot)或者芯片区域(一个最大为26×33mm2的曝光区域,可以包含很多芯片区域,叫做由e),还可以停止找平测量,而使用其周边的曝光或者芯片区域找平数据来做外延,以避免硅片边缘由于过多的高度偏差以及膜层的不完整造成测量错误。在阿斯麦光刻机中,这种功能叫

做“与电路相关的硅片边缘焦距测量禁止”(CircuitDependent Focus Edge Clearance,CDFEC)。