由于添加剂的作用,实际填XC17512LPI洞是以底部上长(bottom up)的方式进行的,孔槽底部的生长速率大于侧壁和开口处的生长速率,在填满孔槽的瞬间还会继续冲高生长,最终有孔槽部分的膜的厚度高于空旷区域的铜膜的厚度,这个厚度的差异就是过电镀(ovcr plating)。与各向同性(conform)的长膜方式比较,底部上长方式可以得到中间没有缝隙的填洞。过电镀的高度受线宽的影响较大,线宽越小,过电镀的高度越大,而且随着所镀膜厚度的增加而增加,如图6.39所示。随着线宽增加,过电镀的高度减小,当线宽达到一定程度后,将不再存在底部上长机制,铜膜将按照硅片本来的结构生长。实际集成电路设计中有各种线宽,因此,微观上就会在硅片上出现图6.40的结构,这将给随后的化学机械研磨造成很大的难度,严重时甚至出现铜残留,形成短路。对于过电镀这个问题,目前工业界没有办法完全消除,但可以降低。其中一个有效的途径就是采用更加先进的有机添加剂,主要是增加平整剂的平整能力或者直接增加平整剂的浓度。