在显影后,由于硅片接触到水分,光刻胶会吸收一些水分,这对后续的工艺,如湿发刻蚀不利。TA7504M于是需要通过坚膜烘焙(hard bake)来将过多的水分驱逐出光刻胶。由于现在刻蚀大多采用等离子体刻蚀,叉称为“干刻”,坚膜烘焙在很多工艺当中已被省去。

   测量

   在曝光完成后,需要对光刻所形成的关键尺寸以及套刻精度进行测量(metrc,logy)。关键尺寸的测量通常使用扫描电子显微镜,而套刻精度的测量由光学显微镜和电荷耦合阵列成像探测器(Charge Coupled Device,CCD)承担。使用扫描电子显微镜的原因是由于半导如果加速电压为300V,则电子的波长为0.07nm,对于线宽的测量足矣。实际工作中,电子显微镜的分辨率是由电子束在材料中的多次散射以及电子透镜的像差决定的。通常,电子显微镜的分辨率为几十个纳米,测量线度的误差在1~3nm左右。虽然套刻精度也已经达到纳米级别,但是,由于测量套刻只需要具备较粗线条中央位置确定的能力,测量套刻精度可以使用光学显微镜。