真实的系统要复杂得多,TA75358F其中包括如何将独立的分离开来。由于需要同时测量这三个独立的参量,一束光是不够的(只有横向偏移两个自由度),需要至少两束光。而且,如果需要探测在曝光区域或者狭缝(slit)上不同点的z、RⅠ、R,,还需要增加光点的数量。一般,对于一个曝光区域,可以多达8~10个测量点。但是,这种找平的方式有它的局限性。因为是使用斜人射的光,比如15°~⒛°掠人射角(或者相对垂直硅片表面方向上的70°~75°人射角),对于白光折射率为1.5左右的光刻胶、二氧化硅等表面,只有大约18%~25%的光被反射回来,如图7.~90所示,其他大约75%~82%的进入探测器的光会穿透透明介质表面。而这部分透射光会继续传播,直到遇到不透明介质或者反射介质,如硅、多晶硅、金属,高折射率介质,如氮化硅等,才被反射上来。因此,由找平系统(levelingsystcm)所实际探测到的“表面”会在光刻胶上表面下面的某个地方。由于后道(BacrEnd~of the-hne,BEOL)主要有相对比较厚的氧化物层,如各种二氧化硅,前道(Front End o⒈ theˉune,FEOL)与后道之间会存在一定的焦距偏差,一般在0,05~0⒛um之间,取决于透明介质的厚度和不透明介质的反射率。所以,在后道,芯片的设计图案需要尽量均匀;否则,由于图形密度的分布不均匀,会造成找平的误差,以至于引人错误的倾斜补偿,造成离焦(defocus)。