由于CVD工艺生长的嵌入式碳硅工艺具有一定的困难度,文献E17~20]报道了其他方面的努力, K4T1G084QF-BCF7包含采用碳离子植人后,使用固相外延技术来获得嵌入式碳硅工艺。嵌人式碳硅I艺除了在源漏区制造的困难外,如何在后续的I艺步骤中把所掺入的碳保持在替位晶格中也是一个巨大的挑战。一旦碳原子不在替位晶格中,那么应变效果就失 种负面效应呢?研究者再次给出了不同的答案:比较传统的思路是,在成高应力膜层(通常是氮化硅)沉积之后,额外增加一层光刻和刻蚀,去除PMOs区域的薄膜,再进行高温退火。但这种方法会消耗更多的制造成本,而且引入多一层光刻和刻蚀,也会给工艺控制带来更多的变异,因此有学者提出通过改善应力膜层自身特性的方法,达到既可以提高NMOS的器件速度,又不损伤PMOS性能.