依照前面对于SMT的大致分类,本节将针对主流SMT的工艺流程展开介绍。前面曾K4T1G164QE-HCE7提及传统的SMT技术会降低PMOS器件的驱动电流,针对这个问题的改善,业界叉提出了两种解决途径,下面将逐一进行阐述。

   由于传统SMT对于NMOS器件性能有显著提升,而对PMOS性能却有一定程度的损害。通常的思路是选择性去除PMC)S区域的高应力氮化硅「21],具体工艺流程如图5.11所示L明。SMT实际上是在侧墙(spacer)和自对准硅化物(salicidc)之间安插进去的一段独立的工艺,在做完侧墙之后,通常会对源、漏极进行非晶化的离子注人,生长完一层很薄的二氧化硅缓冲层之后,会在整个晶片上沉积一层高应力氮化硅。然后通过一次光刻和干法刻蚀的工艺,去除掉PMOS区域的氮化硅,通过酸槽洗掉露出来的二氧化硅,接下来就是非常关键的高温退火过程了。因为温度预算的限制,通常会采用快速高温退火技术,甚至是毫秒级退火。通常来讲,会在第一次尖峰退火(spikc anneaD之后,用磷酸将剩余氮化硅全部去除,再做一次毫秒级退火。但也有人倾向于在两次退火都做完之后,再去除氮化硅。