由于影响此范围内的因素很多,只讨论一些主要的方法。

   (1)提高工艺窗口,优化工S8065K艺窗口。对于密集图形,可以采用离轴照明来同时提高对比度和对焦深度,通过相移掩膜版来提高对比度;对于孤立图形,可以采用亚衍射散射条(Sub Resolution Assist Features,SRAF)来提高孤立图形的对焦深度;对于半孤立图形,也就是空间周期小于两倍的最小空间周期,并且稍大于最小的空间周期,这里的工艺窗口会达到几乎困难的状态,又叫做“禁止空间周期”(“forbiddcn pitch”),如图7.31所示[19~21]。

   图7.31 130nm栅极工艺中,线宽随着空间周期的变化,其中显示了两台248nm光刻机的数据。照明条件为0.68NA/0.75ll375环型(Annular)从图7.31中可以看到,相对于310nm的最小空间周期,在500nm周期附近,线宽从130nm下降到了90nm左右。其中(在这里没有展示)也包含了对比度和焦深的显著下降。

   禁止空间周期的产生是由于在逻辑电路的光刻中,在不同的空间周期或者图形邻近情况下,需要维持固定的最小线宽而导致的严重的非等间距成像的对比度不足,它主要是由离轴照明对半密集图形的局限性造成。通常,离轴照明只对最小空间周期有强大的帮助,对处于最小空间周期和2倍最小空间周期的所谓“半密集”图形反而起到一定的负面影响。为了改善在所谓的禁止周期内的工艺窗口,离轴照明的离轴角度要适当地缩小,以取得平衡的线宽均匀性表现。