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双大马士革铜工艺2015/11/9 19:43:11
2015/11/9 19:43:11
从铝到铜金属化的转变不是一个简单的材料转换。铜有其自身的一系列问题和挑战。AD8007AKSZ-R2它不容易用湿法和干法技术刻蚀。铜与硅有大的接触电阻。它容易扩散穿透二氧化硅，并进入硅结构。在那...[全文]
双大马士革铜工艺2015/11/9 19:40:02
2015/11/9 19:40:02
在20世纪90年代，IBM公司引入铜基的大马士革工艺而取代铝的金属化12、AD8001ARTZ-REEL7铜金属化引入关注点之一是铜可以用来作为金属塞材料，产生将金属间电阻降到最小的单一金属系统...[全文]
导体材料2015/11/8 18:42:05
2015/11/8 18:42:05
这一节将介绍3种主要用于金属互连层的材料。在超大规模集成电路(VI．SI)开发之前，HIN241IB主要的金属化工艺材料就是纯铝。通常来讲，了解为什么选择铝以及铝的局限性，对于理解金属化工艺系统...[全文]
CMOS外延2015/11/8 18:16:25
2015/11/8 18:16:25
CMOS外延：到20世纪70年代后期，外延膜的主要应用是作为双极型晶体管的集电极，HCPL-0721该技术为器件工作和灵活的隔离相邻器件提供了高质量的衬底（见第16章）。，较新的或更主要的应用是...[全文]
气相外延2015/11/7 22:21:22
2015/11/7 22:21:22
气相外延(VPE)与CVD系统的不同之处在于VPE可淀积化合物材料，GL2595-ASF8R如砷化镓(GaAs)、VPE系统IlI由标准的液体源、管式反应炉和双区扩散炉组成．、图12.24给出厂...[全文]
薄膜淀积2015/11/6 19:32:44
2015/11/6 19:32:44
虽然掺杂的Ⅸ域和PN结形成电路中的电子有源元件的核心，但是需要各种其他半导体、AD7548SQ/883绝缘介质和导电层完成器件，并促使这些器件集成为电路。有几种技术可以将这些层加到晶圆的表面，j...[全文]
退火和杂质激活2015/11/6 19:25:43
2015/11/6 19:25:43
修复晶体损伤和注入杂质的电激活可以通过加热的步骤来实现。AD7548JN退火的温度低于扩散掺杂时的温度以防止横向扩散。通常炉管中的退火在600cC—1000℃之间的氢气中进行。离子...[全文]
束流聚焦2015/11/5 18:39:16
2015/11/5 18:39:16
离开加速管后，束流由于相同电荷的排斥作用而发散。分离（发散）导致离子密度不均匀和晶圆掺杂层的不均一。为使离子注入成功，AD7002AS束流必须聚焦。静电或磁透镜用于将离子聚焦为小尺寸束流或平行束...[全文]
离子注入系统2015/11/5 18:32:30
2015/11/5 18:32:30
一台离子注入机是多个极为复杂精密的子系统[见图11.21(b)]，AD680JR每个子系统对离子起特定的作用。用于先进科研和／或大规模生产的离子注入机有不同的设计。所有机器都包含下面所描述的子系...[全文]
离子注入的概念2015/11/5 18:31:33
2015/11/5 18:31:33
扩散是一个化学过程。AD680AR离子注入是一个物理过程，也就是说，注入动作不依赖于杂质与晶圆材料的化学反应。火炮将炮弹打入墙中就是一个展示离子注入概念的示例（见图11.20）。从火炮的火药中获...[全文]
NP结(NP Junction)2015/11/4 22:26:43
2015/11/4 22:26:43
在第4层中，N型原子与P型原子的数量恰好完全相同。这一层就是NP结的所在。NP结的定义是指N型与P型杂质原子数量相同的地方。注意在结下方的第5层，ADS7884SDBVT只有3个N型原子，不足以...[全文]
化学机械抛光后的清洁2015/11/4 22:06:30
2015/11/4 22:06:30
本书自始至终都在强调晶圆表面清洁的重要性。化学机械抛光后的清洁恰恰体现丁这一重要性。ADS7863IDBQ清洁面临一些特殊的挑战。化学机械抛光是唯一有意在工艺过程中引人称为磨粉的微粒。它们一般可...[全文]
基本化学机械抛光工艺步骤2015/11/4 21:58:02
2015/11/4 21:58:02
基本化学机械抛光工艺步骤：晶圆被固定在面朝下的磨头上，依次地，ADS7852Y晶圆也面朝下固定在旋转机台上。旋转机台表面用一个抛光垫覆盖。带有小研磨颗粒的磨料浆(slurry)流到台面上。晶圆表...[全文]
贴膜酌膜是通过旋转浇涂技术制成的2015/11/3 20:00:51
2015/11/3 20:00:51
使用贴膜的另一个好处是由于掩模版表面被薄膜覆盖，一定程度上防止了掩模版划痕。NCP305LSQ22T1第三个好处是一旦覆盖上贴膜，掩模版和放大掩模版可以省去一些例行的清洗。在一些应用中，掩模版贴...[全文]
放大光刻胶2015/11/3 19:51:17
2015/11/3 19:51:17
一般光刻胶的分辨率问题是波前到达光刻胶层。简单的截面图像均匀箭头显示到达光线。NCP304LSQ33T1在波前的实际辐射具有方向和能量的混合，它们随表面和垂直方向而变。这就是所谓的空气中图形(a...[全文]
光刻胶的曝光图形分为光栅式2015/11/3 19:45:04
2015/11/3 19:45:04
光刻胶的曝光图形分为光栅式和矢量式（见图10.7）。光栅式扫描是电子束从晶圆一边扫描到另一边然后向下。计算机控制方向和开关电子束。NCP303LSN44T1光栅式扫描的缺点是费时，因为电子束要扫...[全文]
超大规模集成电路2015/11/2 21:14:38
2015/11/2 21:14:38
具有非常小几何形状并有很窄定位裕度的高端产品要求高质量的放大掩模版／掩模版。EL2044CSZ用于这种I：艺中的放大掩模版和掩模版是由激光或电子束直接曝光写入方式制成的（A流程和B流程）。激光曝...[全文]
掩模版／放大掩模版制作工艺流程晶圆曝光2015/11/2 21:13:19
2015/11/2 21:13:19
掩模版／放大掩模版制作依据最初的曝光方法（图形产生、激光、电子束）和最后的结果（放大掩模版或掩模版）有许多不同的方法（见图9.28）。EL2041CSZ流程图A说明了使用图形发生器的方法...[全文]
硅湿法刻蚀2015/11/2 20:40:11
2015/11/2 20:40:11
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸(HF)的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。EL1503ACM放热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又...[全文]
刻蚀2015/11/1 19:06:53
2015/11/1 19:06:53
在完成显影检验步骤后，掩模版的图形就被固定在光刻胶膜卜并准备刻蚀。LE58QL02JC在刻蚀后图形就会被永久地转移到晶圆的表层。刻蚀就是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺、刻...[全文]
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