本书自始至终都在强调晶圆表面清洁的重要性。化学机械抛光后的清洁恰恰体现丁这一重要性。 ADS7863IDBQ清洁面临一些特殊的挑战。化学机械抛光是唯一有意在工艺过程中引人称为磨粉的微粒。它们一般可以用机械刷拂去或用高压水注冲去。学清洁一般采用与其他FEOL清洗相同的技术。

   精心挑选磨料浆的表面活性剂，调节pH值可以在磨料浆微粒和晶圆表面之间产生电的排斥作用。这一技术可以降低污染，特别是静电吸附晶圆表面的污染物。

  铜污染要特别留意，因为一旦铜进入硅中，会改变或降低电路元件的电性能。铜残留应减少到4×l013原子／C ffl2范围i32]。 化学机械抛光设备

  如果想成功地完成化学机械抛光工艺就需要有成熟的系统设备。生产用的设备包括晶圆传递机械手、在线测量和洁净度监测装置。各种终结探测系统被用来监控某一金属磨尽了或达到指定的研磨厚度的信号。化学机械抛光后清洁单元包括在主机室内或通过传递机械手与主机室连接，目标是实现“干进，f出”工艺。