CMOS外延：到20世纪70年代后期，外延膜的主要应用是作为双极型晶体管的集电极，HCPL-0721该技术为器件工作和灵活的隔离相邻器件提供了高质量的衬底（见第16章）。，较新的或更主要的应用是用于CMOS电路的晶圆。CMOS电路中存在称为“闩锁”(latch-up)效应的问题，该问题提出了对外延层的需要（见第16章）。解决方案是在p+衬底f二做一层P型外延。

   外延工艺：典型的外延工艺开始前，对晶圆表面进行彻底、严格地清洗，然后将晶圆装入淀积反应室内。在淀积反应室肉，通过一系列步骤来保证正确的淀积薄膜。图12.35给出了一个典型的SiCI。的外延工艺。起始的步骤是：对晶圆表面进行气相清洗。清洗之后进行淀积，并伴随着循环的清洗冷却。在所有的步骤中温度和气体的流量是工艺控制的关键.

   图12. 35  典型的SiCl。外延淀积工艺

   选择性外延硅：外延淀积系统的先进性引发了外延膜的选择性生长。尽管用于双极型晶体管和CMOS衬底的外延膜淀积在整个晶圆上，但在选择性生长中，它们是通过二氧化硅或氮化硅膜进行生长的。晶圆被放置在反应室内，外延膜直接生长在暴露孔底部的硅上（见图12. 36）。薄膜生长时，它会与晶圆表面下晶体形成定向。这种结构的优点是在外延区域形成的器件由氧化物或氮化物相互隔离。