隔离层上的均匀导电层的厚度可由四探针测试仪测量得出，对于薄膜的公式为：

   司内业界习惯叫法，也有人 AD8321AR将其称为薄层电阻——泽者注因为对于像铝这样的纯材料而言，电阻率是一个常数（见图14.5），所以事实上对方块电阻率的测量就相当于对薄膜厚度的测量。这个公式不能用于计算掺杂层的厚度，因为掺杂剂并不是均匀分布于整个薄膜层的。

   掺杂浓度或深度形貌

   晶圆中掺杂原子的分布是影响器件电性能的主要因素（见第1 1章）。这种分布（或者说掺杂浓度的形貌）是由某些技术因素决定的。一是扩散电阻，通过斜面技术处理产生了掺杂后测试晶圆的样本。用斜面处理将结暴露后，可以在斜面上实施一系列的两点探针测试（见图14.6）。在每个点，探针的垂直距离被记录，并且进行电阻测量。测量的每一点的电阻值都随掺杂剂浓度的改变而改变。

   用计算机计算深度和电阻值与每层掺杂含量之间的关系，计算机利用所得数据构造被测样品一个表示掺杂浓度的形貌图。这种测量通常是周期性的离线测量，或者是在器件的电性能表明掺杂分布已经发生改变的情况下实施的。