向相关的晶圆生长问题是图形偏移(pattern shift)，当淀积速率太高并且薄膜在生长时相对于晶圆表面存在角度时，就会发生图形偏移。 HCPL-0720当依赖于薄膜表面台阶的位置与衬底的图形对准时，图形偏移就成了问题（见图12. 32）。另一个生长中的主要问题是滑移( slip)。滑移来源于对淀积参数的控制不当，并将导致晶格沿分界面方向滑移(slippage)（见图12. 33），

   有两个问题与淀积温度相关，自动掺杂( autodoping)和外溢扩散。当晶圆背面的掺杂原子从晶圆中扩散出去时，与反应气体混合后融合到生长的薄膜内，导致生长膜的自动掺杂（见图12. 34），从而引起薄膜的电阻率和电导率的变化。在N型晶圆上生长的P型薄膜中的自动掺杂将比预想的P型中的要低一些。P型浓度较低，是因为自动掺杂的原子中和r一砦薄膜内的P型原子。

   外溢扩散( out-diffusion)有着同样的影响，但其发生在外延膜和晶圆的交接面。外溢扩散的原子来源于外延淀积前扩散到晶圆内的掺杂源。在双极型器件内，该区域称为埋层( buriedlayer)或次集电极(subcollector)。通常，埋层是在P型晶圆内的N型区，上面是生长的N型外延层．、在淀积过程中，N型原子扩散出来与外延膜的底部结合，使浓度发生变化。极端情况下，埋层可能扩散出来，进入双极型器件的结构内，引起电性能失效。