芯片密度从小规模集成电路( SSI)发展到甚大规模集成电路(ULSI)的进步推动_r更大尺寸芯片的开发。IRFPE50PBF分立器件和SSI芯片边长平均约为IOO mil（0.1英寸），而ULSI芯片每边长是500~1000  mil（0.5~I.O英寸）。集成电路足在称为晶圆(wafer)的薄硅片（或其他半导体材料薄片，见第2章）L制造而成的。在圆形的晶圆上制造方形或长方形的芯片导致在晶圆的边缘处剩余一螳不町使用的区域（见图6.6），当芯片的尺寸增大时这些不叮使用的区域也随之增大（见图1. 11）。为_『弥补这种损失，半导体业界采用了更大尺寸的晶圆。随着芯片的尺寸增大，1960年时的1英寸直径的晶圆已经被200 mm和300 mm（8英寸和12英寸）的晶圆所取代因为网面积随着其半弪平方的增加而增大，生产效率也增加_r。因此，从6英寸到12英寸，晶圆直径翻倍，制造芯片可使用的面积增大4倍。

   预计引进450 mm（1 8英寸）直径的晶圆年份是2012年。尽管又一次推迟，450 mm晶圆变得可用，英特尔( Intel)、台积电(TSMC)和三星(Samsung)宣布计划建立新的晶圆制造I：厂( fab)。成本已经成为更大的晶圆加工的一个主要障碍。一般来说，在技术层面卜‘是不可能简单地扩大到300 mm生产线的。因此，新的工厂设施是必要的，但不是在设备供心商的设计、测试和建立可扩展能力的工艺设备之前。这些投入是昂贵和费时的、但是，更高效的生产、良品率和先进的电路调节的真正结果已经驱动产业在不断进步7。费用因素也导致了保留较小直径的晶网生产线。对于已建立的已经长期折旧的老产品线，几乎没有要移到更大晶圆上的经济诱因。、事实上，150 mm（5.9 in又名6英寸）晶圆，以及200 mm品圆仍在使用。