从小规模集成电路发展到今天的百万芯片，其中单个元件特征图形尺寸的减小起r重要的推动作用。IRFPE40PBF这得益于被称为光刻的图形化工艺相多层连线技术的极大提高。，半导体T业协会( SIA)已经预计到2016年6；特征尺寸减小到5 nm(0.005 ym)。能在芯片卜制造出更小器件的能力得益于将它们做得更紧密，以进一步增加密度（见图1. 10）。

   我们可以用…个家庭住宅区的布局做个比喻来解释这个发展趋势。住宅区的密度取决于房屋大小、占地面积和街道宽度。如果要居住更多的人口，可以增加住宅区的面积（增加芯片区域），另一种可能则是减小单个房屋的尺寸并使它们占地小。我们也可以用减小街道大小的办法来增加密度，然而，到一定程度时街道就不能再被减小了，或是就不够汽车通行的宽度r，而要保持房屋的可居住性，房屋也不能无限制地减小，此时一个办法就是用公寓楼来取代单个房屋。所有的这些办法都应用在了半导体技术中。

   特征尺寸的减小和电路密度的增大带来了很多益处。在电路的性能方面是电路速度的提高，传输距离的缩短，以及单个器件所占空间的减小使得信息通过芯片时所用的时间缩短，这种更快的性能使那砦曾经等待计算机来完成一个简单工作的人获益匪浅。电路密度的提高还使芯片或电路耗电量更小，要小型电站来维持运行的ENIAC已经被靠使用电池、功能强大的便携式计算机所取代．