修复晶体损伤和注入杂质的电激活可以通过加热的步骤来实现。AD7548JN退火的温度低于扩散掺杂时的温度以防止横向扩散。通常炉管中的退火在600cC—1000℃之间的氢气中进行。

   离子注入后的退火也用到RTP技术。RTP捉供快速表面加热修复损伤，而不使衬底温度达到扩散的程度。且快速热退火可以在数秒钟内完成，而炉管工艺需要15~30分钟。

   沟道效应

   晶圆的晶体结构在离子注入工艺中会出现一个问题。问题发生在当晶圆的主要晶轴对准离子束流时。离子可以沿沟道深入，达到计算深度的10倍距离处。沟道效应的离子浓度剖面图（见图11. 33）显示出数量显著的额外杂质。沟道效应可以通过几种技术最小化：表层的无定型阻碍层、晶圆方向的扭转及在晶圆表面形成损伤层。