典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸( HF)的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。 EL1503ACM放热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又产生更多的热，这样进行下去会导致工艺无法控制。有时醋酸和其他成分被混合进来控制放热反应。

   一些器件要求在晶圆上刻蚀出槽或沟。刻蚀配方要进行调整以使刻蚀速率依靠晶圆的取向。<111>取向的晶圆以45 0角刻蚀，<100>取向的晶圆以“平”底刻蚀。6．、其他取向的晶圆可以得到不同形状的沟棺。多晶硅刻蚀也用基本相同的规则。

   最普通的刻蚀层是热氧化形成的二氧化硅。基本的刻蚀剂是氢氟酸( HF)，它有刻蚀二氧化硅而不伤及硅的优点。然而，饱和浓度的氢氟酸在室温下的刻蚀速率约为300 R/s 6；j，，这个速率对于一个要求控制的工艺来说太快了（3000 A薄膜层刻蚀仅用10 s）。在实际中，氢氟酸(49%)与水或氟化铵及水混合。以氟化铵( NH。F)来缓冲会加速刻蚀速率的氢离子的产生。这种刻蚀

溶液称为缓冲氧化物刻蚀( buffered oxideetch)或BOE。针对特定的氧化层厚度，它们以不同的浓度混合来达到合理的刻蚀时间（见图9. 17）。一些BOE公式包括一个湿化剂（表面活化剂如Triton X-100或同类物质）用以减小刻蚀表面的张力，以使其均匀地进入更小的开孑L区。

   暴露硅晶圆表面的过刻蚀可以引起表面的粗糙。在氢氟酸工艺期间，当暴露于OH离子时，在刻蚀中硅表面会变粗糙。