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离子注入系统

发布时间:2015/11/5 18:32:30 访问次数:690

   一台离子注入机是多个极为复杂精密的子系统[见图11. 21(b)],AD680JR每个子系统对离子起特定的作用。用于先进科研和/或大规模生产的离子注入机有不同的设计。所有机器都包含下面所描述的子系统。

   设计生产级的离子注入机要达到下列要求:

   ·自动的多品种掺杂剂

   ·晶圆片内、晶圆片间和批与批注入的均匀性

   ·污染小

   ·满足可生产性等级

   离子注入源

   离子注入工艺采用与扩散工艺相同的杂质元素。在扩散工艺中,杂质源于液态、气态或固态材料。对离子注入而言,只采用气态与固态源材料。

   由于便于使用与控制,离子注入偏向于使用气态源。最常用的气体是砷烷( AsH3)、磷烷( PH,)和三氟化硼(BF3)。离子注入的一个优势是可选的材料范围更广。可以注入硅(SiF2)和锗( GeF。)。砷元素和磷元素是采用固体源进行注入的。气瓶通过质量流量计连接到离子源子系统,它提供_『比正帝流量计更准确的气体流量控制。

   一台离子注入机是多个极为复杂精密的子系统[见图11. 21(b)],AD680JR每个子系统对离子起特定的作用。用于先进科研和/或大规模生产的离子注入机有不同的设计。所有机器都包含下面所描述的子系统。

   设计生产级的离子注入机要达到下列要求:

   ·自动的多品种掺杂剂

   ·晶圆片内、晶圆片间和批与批注入的均匀性

   ·污染小

   ·满足可生产性等级

   离子注入源

   离子注入工艺采用与扩散工艺相同的杂质元素。在扩散工艺中,杂质源于液态、气态或固态材料。对离子注入而言,只采用气态与固态源材料。

   由于便于使用与控制,离子注入偏向于使用气态源。最常用的气体是砷烷( AsH3)、磷烷( PH,)和三氟化硼(BF3)。离子注入的一个优势是可选的材料范围更广。可以注入硅(SiF2)和锗( GeF。)。砷元素和磷元素是采用固体源进行注入的。气瓶通过质量流量计连接到离子源子系统,它提供_『比正帝流量计更准确的气体流量控制。

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