在完成显影检验步骤后，掩模版的图形就被固定在光刻胶膜卜并准备刻蚀。LE58QL02JC在刻蚀后图形就会被永久地转移到晶圆的表层。刻蚀就是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺、

   刻蚀工艺主要有两大类：湿法和于法刻蚀（见图9. 20）。两种方法的主要目标是将光刻掩模版上的图形精确地转移到晶圆的表面。其他刻蚀工艺的目标包括…致性、边缘轮廓控制、选择性、洁净度和拥有成本最低化。

   历史上的刻蚀方法一直使用液体刻蚀剂沉浸的技术。规程类似于氧化前清洁一冲洗干燥工艺（见第7章）和沉浸式显影。晶圆沆浸于装有刻蚀剂的槽中，经过一定的时间，传送到冲洗设备中去除残留的酸，再送到最终清洗台以冲洗和甩干。湿法刻蚀用于特征图形尺寸大于3斗m的产品。低于此水平时，由于控制和精度的需要就应使用干法刻蚀了。

   刻蚀一致性和工艺控制由附加的加热器和搅动设备来提高，例如，搅拌器或带有超声波和兆频超声波的槽。

   被选择的刻蚀液要有可均匀地去掉晶圆表层而又不伤及下一层材料（良好的选择性）的能力，刻蚀时间的变化性是一个工艺参数，它受料盒和晶圆在槽中到达温度平衡过程中温度变化的影响和在晶圆被送入冲洗槽过程中持续刻蚀的影响。一般地，工艺被设置在最短时间并保持在均匀刻蚀和高生产力。最大时间受限于光刻胶在晶圆表面的黏结时间。