三极管的输入特性曲线

   三极管的特性曲线反映了三极管各极电压与电流之间的关系，是分析三极管有关电路的重要依据。 DG411CY最常用的是共发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。特性曲线可用晶体管图示仪直观地显示出来，也可用实验电路进行测绘。

   输入特性曲线是当集电极与发射极之间的电压UCE保持不变时，基极电流与基、射极间电压之间的关系，即其特性曲线如图7—4所示。

   当UCE≥1V时，三极管处于放大状态，基极电流的变化主要受UBE的控制，而UCE对IB的影响则很小，所以，UCE≥1V以后酌输入特性基本上是重合的。

   三极管的输入特性和二极管的伏安特性相似，也有一段死区，硅管的死区电压约为0. SV，锗管的死区电压约为0. 2V。当发射结外加电压大于死区电压时，三极管才完全进入放大状态。在正常工作情况下，硅管发射结的正向压降约为0. 7V，锗管发射结的正向压降约为0.3V。