在第4层中，N型原子与P型原子的数量恰好完全相同。这一层就是NP结的所在。NP结的定义是指N型与P型杂质原子数量相同的地方。注意在结下方的第5层，ADS7884SDBVT只有3个N型原子，不足以将该层改变为N型。

   NP结的定义指出，在掺杂区中，N型原子的浓度较高。PN结意味着掺杂区域中P型杂质的浓度较高。

   电流通过半导体结的特征行为造成单个半导体器件的特殊性能表现，这是第14章的讨论内容。本章的蘑点放在晶圆掺杂区的形成与特征上。

  掺杂工艺的目的

   扩散工艺（热扩散或离子注入）的目的有如下3个：

   1．在晶圆表面产生具体掺杂原子的数量（浓度）。

   2．在晶圆表面下的持定位置处形成NP结或PN结。

   3．在晶圆表面层形成特定的掺杂原子浓度和分布。

    结的图形表示

   在半导体器件的截面图中（见图11.9），NP结被简单地表示为器件内部的区域，没有图形代表N型或P型区域。截面图仅仅显示掺杂区域和结的相对位置。这种类型的图基本不提供杂质原子浓度的信息而仅仅估计区域的实际尺寸。在图中，20 mm厚的晶圆上只有2ht,m r深的结，当晶圆厚度按比例变为8英尺时，结深仅仅变为0.4英寸。