具有非常小几何形状并有很窄定位裕度的高端产品要求高质量的放大掩模版／掩模版。EL2044CSZ用于这种I：艺中的放大掩模版和掩模版是由激光或电子束直接曝光写入方式制成的（A流程和B流程）。激光曝光使用波长364 nm的I线系统。它可使用标准的光学光刻胶并且比电子束曝光更快。用一个声波光学调制器( AOM)。31控制直接写入激光源的开和关。在所有这些情况中，放大掩模版或掩模版被加工处理，以在其镀铬层上刻蚀出图形，，也可以用其他的掩模版／放大掩模版工艺流程。在A流程中的放大掩模版可以用激光／电子束制作，或母版可以用激光／电子束制作．，

   超大规模集成电路( VLSI)和甚大规模集成电路(UI．SI)级的电路实际E要求无缺陷及尺寸七完美的掩模版和放大掩模版。从各个方面上的关键尺寸( CD)裕度为10%或更多，留给放大掩模版4%的错误余量。32j。有一些方法用激光“消灭”（zapping）技术来消除不期望的铬点和图形伸出。对于小图形的掩模版和放大掩模版，聚焦离子束( FIB)是首选的修复技术。没有或部分图形丢失可用碳沉积的方法来填补。不透明的或不想要的铬区域以离子束溅射来去隙。