- 前烘2016/8/3 21:57:52 2016/8/3 21:57:52
- 在晶片的表面很容易吸附水汽,水汽的存在将严重影响光刻胶与晶片的黏附性,因此LED芯片制造的环境除了温度、洁净度外,对空气湿度也有特别的要求。JST7815CV一般要求在空气湿度保持...[全文]
- 溅射是一种物理气相沉积技术2016/8/3 21:44:37 2016/8/3 21:44:37
- 溅射是一种物理气相沉积技术。在充有JST7805CV惰性高压电场的作用,自由电子被电场加速且持续不断地从电场中获取能量,被加速的电子与中性氩原子发生碰撞后,氩原子的轨道电子会从原子核的束缚中脱离...[全文]
- Mg比Zn在AlGaInP材料中的电离能小2016/8/2 19:50:37 2016/8/2 19:50:37
- 由于Mg比Zn在AlGaInP材料中的电离能小,且Mg的扩散系数小,采用Cp2Mg为掺杂剂可获得高的空穴浓度。AAT3112IVN-5.0-T1表3-3给出了在“0℃和720℃下Mg掺杂(Aly...[全文]
- 有源层与衬底间不可能实现完全晶格匹配2016/8/2 19:40:45 2016/8/2 19:40:45
- 在实际材料生长中,有源层与衬底间不可能实现完全晶格匹配,如果失配太大且超过临界厚度,就会产生位错,降低材料的辐射复合效率。AAT2603INJ-1-T1由于衬底和外延层材料间的热胀系数的差异,在...[全文]
- 有源区材料的外延2016/8/2 19:38:49 2016/8/2 19:38:49
- 在对图3-4中的⒈(AlyGalo05In05P有源层材料进行外延工艺设计时,我们主要关心两个问题:AAT2554IRN-CAP-T1第一,降低外延材料中的非辐射复合中心密度以提高辐射复合效率;...[全文]
- 红光LED材料外延的工艺设计 2016/8/2 19:32:20 2016/8/2 19:32:20
- 在确定了原材料、载气和衬底之后,MOCVD夕卜延生长的材料质量还受多种工艺条件的影响,典型的参数有生长温度、反应室压力、V/III比和生长速度等。AAT2510IWP-AA-T1在实际的材料外延...[全文]
- 晶格常数与GaAs是匹配的2016/8/2 19:26:56 2016/8/2 19:26:56
- 当x等于0.516时,G‰Inl”P的晶格常数与GaAs的晶格常数相等。AAT2430AISX-T1同理,A1P与hP材料可以一定的比例混合形成A廴In1.P材料,当豸等于0532...[全文]
- 红光LED外延材料 AlGa丨nP的性质 2016/8/2 19:25:26 2016/8/2 19:25:26
- 基于上述LED外延材料的选取原则,高亮度红光LED采用在GaAs衬底上的AlGaInP为外延材料。AAT1290AIWO-T1四元系的AlGaInP材料由二元系的AlP、GaP和InP材料按照一...[全文]
- 红黄光LED外延生长技甫 2016/8/2 19:21:29 2016/8/2 19:21:29
- 外延生长技术是LED的基础和核心,它决定了LED发光的电学特性和光学特性。现AAT1271IWO-T1代高亮度的LED器件都采用异质外延结构,在进行LED的外延生长时,要考虑以下几个方面:①选取...[全文]
- 杂质补偿机制2016/8/1 23:02:59 2016/8/1 23:02:59
- 当p型杂质掺杂浓度很大时,L7808CV会带来杂质补偿的问题。材料中氮位/N点缺陷起到施主的作用,易与Mg作用形成中性的络合物,从而降低材料中的空穴浓度。此外,掺杂过程中引入的外部杂质也可能带来...[全文]
- 杂质补偿机制2016/8/1 23:02:52 2016/8/1 23:02:52
- 当p型杂质掺杂浓度很大时,L7808CV会带来杂质补偿的问题。材料中氮位/N点缺陷起到施主的作用,易与Mg作用形成中性的络合物,从而降低材料中的空穴浓度。此外,掺杂过程中引入的外部杂质也可能带来...[全文]
- 常利用具有较宽带隙的AlGaN材料作为EBL2016/8/1 22:05:07 2016/8/1 22:05:07
- 在LED中,常利用具有较宽带隙的AlGaN材料作为EBL,将电子限制在有源区量子阱内,L7805从而抑制在大电流注入下,电子溢出到p型层中产生非辐射复合,导致LED的发光效率衰减。如图⒉24(a...[全文]
- 不同阱宽对载流子分布的影响2016/8/1 21:11:56 2016/8/1 21:11:56
- 多量子阱LED中,量子阱厚度是影响LED发光效率非常重要的因素之一。量子阱厚度较薄,L6506不但会增加外延生长的难度,降低材料质量,同时会减少量子阱中载流子浓度,不利于提高内量子效率。而量子阱...[全文]
- TEM包含有若干部件2016/7/31 16:19:19 2016/7/31 16:19:19
- TEM包含有若干部件,其中有用于传输电子束的真空系统、用于产生电子束的电子发射源、一系双目光学显徼镜列的电磁透镜以及静电盘。ADS7843后两个器件允许操作者观察窗口按照要求对电子束进行操作。此...[全文]
- 在括号中只保留多端器件编号名2016/7/30 12:16:49 2016/7/30 12:16:49
- 如果输出变量中的节点号采用元器件编号及引出端名表示，可将括号中的引线名称放在关键词V和I后面，ASDX030A24R在括号内只保留元器件编号名。具体情况为：(1)表示两端或多端元器...[全文]
- GaAs衬底的标识定位边2016/7/29 21:37:49 2016/7/29 21:37:49
- 在GaAs上匹配生长AlGaInP时,呈现出有序和无序两种晶相P",且有序相的带隙宽度小于无序相的带隙宽度。BAT54A-NXP在相同带隙宽度下,无序相材料的Al组分比有序相的低,由于高Al组分...[全文]
- MOCVD源材料 2016/7/28 22:21:33 2016/7/28 22:21:33
- 高质量的源材料是制备高性能光电子器件的基础。LED的MOCVD外延生长所用到的主要源材料有金属有机化合物源(Mo源)、氢化物源、A914BYW-680M高纯载气和衬底。GaN基蓝绿光LED和Al...[全文]
- 氢化物供应子系统2016/7/28 21:39:25 2016/7/28 21:39:25
- 在GaN的MOCVD外延生长中,氢化物主要是作为V族源组分的NH3和作为n型掺杂源的sm4或乙硅烷si2H6等。图l-7为氢化物供应子系统示意图,A1109AS-H-3R3M图中给出了标准管路和...[全文]
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