高质量的源材料是制备高性能光电子器件的基础。LED的MOCVD外延生长所用到的主要源材料有金属有机化合物源(Mo源)、氢化物源、A914BYW-680M高纯载气和衬底。GaN基蓝绿光LED和AlGaInP红黄光LED外延生长所用的Mo源大多相同,其主要区别在于氢化物V族源和衬底的不同,GaN基LED的氢化物V族源为NH3,而AlGaInP红黄光LED的V族源主要为As比和PH3。SiH4虽是氢化物,其主要作为n型掺杂源。实际生长过程中用到的H2和惰性气体N2和Ar等作为载气也属于源材料。GaN基蓝绿光LED所使用的衬底片的材料一般为蓝宝石、Si、sC等,而AlGaInP红黄光LED的衬底材料一般为GaAs和hP。

   源材料的化学、物理性质和纯度对MOCVD生长条件、外延层的质量等都有决定性的影响。本文仅对这些气源材料的基本性能做常识性的简略介绍,以帮助我们理解在实际产业生产中对这些气源材料的使用、处置方法与措施。