当x等于0.516时,G‰Inl”P的晶格常数与GaAs的晶格常数

相等。 AAT2430AISX-T1同理,A1P与hP材料可以一定的比例混合形成A廴In1.P材料,当豸等于0532时,A1InhP的晶格常数也与GaAs的相等。在实际工程中,为方便起见,经常简称Ga05h05P和Al05In05P与GaAs衬底晶格匹配。

   由于Ga05InO5P和AlO5h0`的晶格常数与GaAs是匹配的,可以预见,如果以一定的比例让GaO5In05P和A105h0~sP混合形成(A1GalDo5In0~hP材料,则不论艿在0~1之间如何变化,(AltGa1005ho5P与GaAs的晶格常数始终是匹配的。在实际外延工艺中,A1GalInl,vP与GaAs的匹配条件可由下式方便地求得:

   其中,0≤豸≤⒐53。例如,当豸=0.l时,厂042,与GaAs衬底匹配的材料为(Alo19GaO:1)052In04:P。

    接下来讨论AlGaInP材料的带隙与组分的关系。我们先来讨论三元系材料A廴Inl”P和G‰In1书P,为方便起见,可以将其统一表示戊Bl”c的形式。戊Bl”C的带隙宽度可由相应的二元系材料的禁带宽度Eg(AQ和Eg(:Cl插值得到.