在确定了原材料、载气和衬底之后,MOCVD夕卜延生长的材料质量还受多种工艺条件的影响,典型的参数有生长温度、反应室压力、V/III比和生长速度等。AAT2510IWP-AA-T1在实际的材料外延过程中,需要将这些参数合理组合,以满足晶体形貌、掺杂和组分等材料性质的需求。生长温度是MOCVD材料外延的最重要参数。以GaAs衬底上外延GaAs为例,给出了GaAs的生长速率与生长温度之间的关系,生长速率随温度变化可以分为3个区域.

   (1)热动力学区,由于MOCVD是一放热过程,当生长温度太高时将会抑制外延材料生长的反应过程,因此生长速率随温度的升高而降低,也可能是匀相气相反应造成反应物的耗尽所造成的。

   (2)反应动力学区,此时表面反应速度限制着生长速率,生长温度增加,反应加快,生长速率增加。

   (3)质量输运区,此时表面反应速度足够快,到达表面的反应剂都能反应,生长速率由反应剂到衬底表面的质量输运控制。

   MOCVD的生长温度通常都在质量输运区,对于红光LED,生长温度一般为550~sO0℃,通过高精密的MFC控制通入反应室的源流量,则可以控制材料的生长速率,而与衬底的温度关系不大。