GaAs衬底的标识定位边
发布时间:2016/7/29 21:37:49 访问次数:1783
在GaAs上匹配生长AlGaInP时,呈现出有序和无序两种晶相P",且有序相的带隙宽度小于无序相的带隙宽度。 BAT54A-NXP在相同带隙宽度下,无序相材料的Al组分比有序相的低,由于高Al组分会在外延材料中引入更多的氧杂质,降低器件性能,因此一般希望生长无序相的AlGaInP。研究发现,采用高偏角的衬底有利于无序相生长,表⒈4中选用的衬底就是(100)面向<111>方向偏15°。
为了标明衬底的晶向,通常要在衬底圆片上做两个定位边,即主定位边和次定位边,业界有两个标准,即美国(Us)标准和欧洲/日本(EJ)标准,如图1-18所示,图中同时给出了各晶面的对应方位。
在GaAs上匹配生长AlGaInP时,呈现出有序和无序两种晶相P",且有序相的带隙宽度小于无序相的带隙宽度。 BAT54A-NXP在相同带隙宽度下,无序相材料的Al组分比有序相的低,由于高Al组分会在外延材料中引入更多的氧杂质,降低器件性能,因此一般希望生长无序相的AlGaInP。研究发现,采用高偏角的衬底有利于无序相生长,表⒈4中选用的衬底就是(100)面向<111>方向偏15°。
为了标明衬底的晶向,通常要在衬底圆片上做两个定位边,即主定位边和次定位边,业界有两个标准,即美国(Us)标准和欧洲/日本(EJ)标准,如图1-18所示,图中同时给出了各晶面的对应方位。
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