- 斜坡电流测量流程2016/6/27 22:18:48 2016/6/27 22:18:48
- 图7,8所示为典型的斜坡电流测量流程图。测试只针对通过初始测试的样品(氧化膜)而言,BP3122并由施加F倍初始电流应力或一较低的电流开始。图7.9所示是斜坡电流测量失效过程流程图。当测量的电压...[全文]
- 目标温度对应的初始应力电流2016/6/26 20:15:35 2016/6/26 20:15:35
- 在恒定功率模式中,IXFZ11N100整个测试过程刀Ge哎)都保持不变。目标温IXFZ11N100度对应的初始应力电流凡G钗)是指收敛时测试线上的应力电流,该电流用来使测试线的电阻值升高到对应的...[全文]
- 圆片级可靠性技术的基本目的是评价工艺的健壮性2016/6/26 19:58:52 2016/6/26 19:58:52
- 圆片级可靠性技术的基本目的是评价工艺的健壮性,以减弱本征磨损机理,减IXFM26N50少生产时所承担的风险,对需要校正的问题提供早期的反馈。这种方法提供的是实时反馈。按照所涉及的技术,圆片级可靠...[全文]
- 平行贴装新概念2016/6/24 22:52:26 2016/6/24 22:52:26
- 新一代SMD贴装平台实现贴装头的全智能化、柔性化、高产量与长使用寿命,可以确E32-TC300保贴装在制造中达到最低的成本。理想的贴装平台结构的优势是建筑在能够为大批量、高复杂性电路组装提供高柔...[全文]
- 寿命试验概述2016/6/23 21:57:13 2016/6/23 21:57:13
- 寿命试验指的是从一批产品中随机抽取″个产品组成一个样本,然后把此样本放在规定的试验条件ADM1087AKS-REEL7下进行试验,观察和记录每个产品发生失效的时间,并对失效数据进行统计分析。...[全文]
- 微电子技术概论2016/6/23 21:47:24 2016/6/23 21:47:24
- [1]贾新章,郝跃。微电子ADM1068ASTZ-REEL7技术概论,北京:国防工业出版社,1995[2]高光勃,李学信。半导体器件可靠性物理.北京:科学出版社,1987...[全文]
- 静电损伤模式2016/6/23 21:28:48 2016/6/23 21:28:48
- (1)突发性失效。使器件ADM1067ASU-REEL7的一个或多个参数突然劣化,完全失去规定功能,通常表现为开路、短路或电参数严重漂移,如介质击穿、铝条熔断、PN结反向漏电流增大甚至穿通。对于...[全文]
- 损伤机理与部位2016/6/22 21:41:05 2016/6/22 21:41:05
- (1)PN结短路。EsD引起PN结短路是常见的失效现象,它是放电电流流经PN结时产生的焦耳热使局部铝一硅熔融生成合金钉穿透PN结造成的。JC030A-26耐放电能量与接触孔大小、位置及结面积有关...[全文]
- 金与铝2016/6/22 21:36:36 2016/6/22 21:36:36
- 金引出线与铝互连线或铝键合丝与管壳镀金引线的键合处,产生AuAl界面接触。JAHW050F1由于这两种金属的化学势不同,经长期使用或2O0℃以上高温存储后将产生多种金属问化合物,如Au5A12...[全文]
- PMOsFET负偏置温度不稳定性 2016/6/21 22:12:29 2016/6/21 22:12:29
- 1.PMOsFET负偏置温度不稳定性的产生机理>(JD义s⑾)和跨导(gm)的减小,“关断”电流(几f)和阈值电压(Kh)的增加。OMI-SS-124DM典型的应力温度在1OO~2...[全文]
- 多晶硅发射级腐蚀2016/6/19 18:56:21 2016/6/19 18:56:21
- 发射极可采用多晶硅。首先生ES2B-13-F长栅氧化层,随后沉积第一层多晶硅。采用发射极光刻版进行光刻和腐蚀,去掉集电区的多晶硅和氧化层,如图4.38所示。接着沉积第二层多晶硅,并...[全文]
- P阱注入2016/6/19 18:54:46 2016/6/19 18:54:46
- 埋层形成后,生长外延层。同埋层生长的工艺相同。首先沉积二氧化硅和氮化硅。ES1D-13-F光刻出N阱区域并注入磷。随后推阱并热生长氧化层,利用N阱上方的厚氧化层做阻挡层,在N阱以外的区域注入硼,...[全文]
- sTI形成后器件的剖面图2016/6/18 20:44:35 2016/6/18 20:44:35
- 去掉光刻胶后在1000℃下热生长二氧化硅(称为Roundinghref="http://www.51dzw.com/stock_O/OP220GS.html">OP220GS步骤是为了使得浅槽底...[全文]
- 颗粒过滤2016/6/18 20:31:46 2016/6/18 20:31:46
- 半导体制造中所使用的液态化OP2177ARMZ-R2学品必须不能含有沾污,通过使用过滤器来保证化学品的纯度。不同的过滤器分类如下:颗粒过滤(P・articleⅡl“a...[全文]
- 整体工艺成品率2016/6/17 21:43:07 2016/6/17 21:43:07
- 整体工艺成品率是3个主要成品率的乘积,如下式所示。前面一项是晶圆生产成品率H-183-4SMA,中间一项是晶圆电测成品率,最后是封装成品率,即整体成品率。这个数字以百分数表示,给出了出货芯片数相...[全文]
- 晶圆破碎和弯曲2016/6/17 21:18:15 2016/6/17 21:18:15
- 晶圆破碎和弯曲。在晶圆生产过程中,晶圆本身会通过很多次的手工和自动的操作。H12WD4825每一次操作都存在将这些晶圆打破的可能性。设想一下,典型30Omm(12英寸)晶圆的厚度只有大约800u...[全文]
- 化学清冼方案 2016/6/16 21:32:28 2016/6/16 21:32:28
- 半导体工业中存在大范围的清洗工艺。每个制造区域对清洁度有着不同的要求,OP262GSZ也对不同的清洁方案有着不同的经验。在这一节中描述的清洗方案是最常用的类型。当然,在不同的晶圆制造区域,它们又...[全文]
- 超净间的等级划分2016/6/16 21:00:35 2016/6/16 21:00:35
- 这个标准中符合灰尘标准的颗粒相对于常见的灰尘已经是小得微乎其微,但是OP249GSZ对于半导体器件而言,哪怕是一点点的灰尘都会产生非常大的负面影响,所以在半导体产品的生产上,无尘是必须的要求。...[全文]
- 芯片制造过程中特别容易产生静电放电2016/6/15 21:19:36 2016/6/15 21:19:36
- 芯片制造过程中特别容易产生静电放电,因为芯片加工通常是在较低的湿度(典型条件为40%±10%)环境条件下进行的,这种条件容易生成较高级别的静电荷,CY7C128-45DMB虽然增加相对湿度可以减...[全文]
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