- 铜互连工艺 2016/6/14 21:15:13 2016/6/14 21:15:13
- 当器件的特征尺寸到0.13um或更小时,布线间距进一步缩小,布线引起的电阻明显增大,EL5423CRZ因布线产生的传输延迟将变得更加显著,难于满足器件高速化的要求。要改善布线产生的传输延迟,必须...[全文]
- Al膜是比较活泼的金属2016/6/13 21:48:37 2016/6/13 21:48:37
- Al膜是比较活泼的金属,在大气HCF4051BEY下易被氧化形成Abα,A12α会带来如下影响:(1)接触电阻增大;(2)抑制溅射;(3)A1203与P...[全文]
- 硼磷硅玻璃2016/6/11 17:40:30 2016/6/11 17:40:30
- 为了达到对衬底上陡峭台阶的良好覆盖,采用玻璃体进行平坦化是一步重要工艺。AD7892BNZ-2在沉积磷硅玻璃的反应气体中掺入硼源(砀H6),可以形成三元氧化薄膜系统(勒α-P205ˉS02),也...[全文]
- 氮化硅由于有以下特性使其很适合作为钝化层:2016/6/11 17:32:18 2016/6/11 17:32:18
- 氮化硅由于有以下特性使其很适合作为钝化层:(1)对扩散来说,它具有AD7892ARZ-3REEL非常强的掩蔽能力,对碱金属离子的防堵能力也很好,且不易被水气分子所渗透;...[全文]
- 湿氧氧化2016/6/10 18:15:11 2016/6/10 18:15:11
- 湿氧氧化。湿氧氧化中,用携带SG40281B1-000U-S99水蒸气的氧气代替干氧,氧化剂是氧气水的混合物,反应过程为:氧气通过95℃的高纯水,携带水汽一起进入氧化炉在高温下与硅反应。...[全文]
- gio2的作用 2016/6/10 17:40:53 2016/6/10 17:40:53
- 1.作为绝缘介质s⒑2不导电,是绝缘SG38281B1-000U-A99体,它的热膨胀系数与硅相近,在加热或冷却时,晶圆不会弯曲,所以sio2膜常用做场氧化层或绝缘材料。...[全文]
- 半导体集成电路的基本工艺2016/6/10 17:04:33 2016/6/10 17:04:33
- 硅(si)、锗(Gc)的纯晶体称为本征半导体。本征半导体是一种绝缘体,硅S606C-30原子之间靠共有电子对连接在一起,如图2,1所示。硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对...[全文]
- 高吞吐率逻辑诊断能力2016/6/10 17:00:26 2016/6/10 17:00:26
- 高吞吐率逻辑诊断能力。随机分S606B-50布的逻辑电路区对系统成品率的损失机制(如图案处于光刻工艺窗边缘时)非常敏感。在达到随机缺陷限制的成品率之前,系统的成品率损失机制可以通过在产品设计时嵌...[全文]
- 什么是质量方针?如何制定质量方针? 2016/6/8 20:59:57 2016/6/8 20:59:57
- ①什么是质量方针?如何制定质量方针?②为什么说质量目标是质量AD1671JPZ策划的核心内容?现代电子装联有哪些质量指标?③质量保证的关键是什么?④简述...[全文]
- 人员的管理2016/6/5 18:36:29 2016/6/5 18:36:29
- 现代电子装联与其他制造过程一样,人的因素始终是影响质量的最关键因素。在人、机、料、法、N010-0550-T711环五大因素中,机由人控制,料由人管理,法由人创建,环由人治理,人在其中占据着主导...[全文]
- 实验关键参数 2016/6/5 18:03:32 2016/6/5 18:03:32
- ①最高温度和最低温度。②高低温保温时间。NJM2082M③温度变化率。④循环周期。温度冲击温度冲击试验箱及两箱...[全文]
- 染色实验2016/6/5 17:56:24 2016/6/5 17:56:24
- 染色染色实验如图11,8所示。图"8染色实验①目的:通过对PCBA样品进行溶剂清洗、染色、干燥、垂直分离过程,观察元器件焊点的染色情况,NB6N11SM...[全文]
- 人们对电子设备产品也提出了更高的要求2016/6/4 22:55:00 2016/6/4 22:55:00
- 随着电子技术的发展,人们对K9LAG08UOM-PIBO电子设备产品也提出了更高的要求。由于设备技术性能和结构要求等方面的提高,可靠性问题愈显突出。如果没有可靠性保证,高性能指标是没有任何意义的...[全文]
- 金属化孔填充不良现象的发生及其预防2016/6/3 21:13:52 2016/6/3 21:13:52
- 1,现象表现金属化孔填充不良是无铅AFB0805H波峰焊接中较难处理的高发性缺陷,其实际案例,透孔不良如图9,37所示。2,波峰焊接中钎料对金属化孔填充性的基本要求...[全文]
- 波峰贴片元器件间桥连2016/6/3 21:10:05 2016/6/3 21:10:05
- 在sMT波峰焊接中由于高大元器件阻挡造成液态钎料回流而形成桥连,波峰贴片元器件间桥连。AFB0724HHB-F00造成此现象的主要因素是PCB设计不良。现象F由于SM...[全文]
- 焊点轮廓敷形不良2016/6/3 20:36:17 2016/6/3 20:36:17
- 1现象(1)钎料过多(堆焊)钎料在焊点上堆集过多而形成AFB0648EH-TP27凸状表面外形,9.⒛所示。(2)钎料过...[全文]
- 钎料槽温度2016/6/2 22:45:47 2016/6/2 22:45:47
- 在波峰焊接工艺中,和被焊基体金属表面洁净度同等重要的是焊接过程中的加热温度。MAC223A8FP焊点在加热过程中,主要影响因素是热源的温度,被焊元器件和零件的热容量和热导,即被焊元器件和零件对焊...[全文]
- 波峰平整度工艺要求2016/6/2 22:39:41 2016/6/2 22:39:41
- 当波峰高度处于正常工作高度fiJO时,沿整个波峰炉胆长度范围上波峰高度的最高点MAC223A4FP与最低点的高度差乃≤10%玩。进行PCB焊接之前,如果测量显示不平行时应及时对波峰焊机进行调整。...[全文]
- 波峰悍授技术简介2016/6/1 20:44:42 2016/6/1 20:44:42
- 波峰焊接(Wavcs01dering)的定义:将熔融的液态钎料借助泵的作用,在钎料液面形成EP1C6Q240C8一个特定形状的钎料波峰,装载了元器件的PCB以某一特定角度、一定的浸入深度穿过钎料...[全文]
- 再流悍授工艺中常见的缺陷 2016/6/1 20:37:38 2016/6/1 20:37:38
- 焊点空隙是再流焊接工序中的缺陷之一。在QFP焊接后只要剥掉QFP的引脚就可检测到,然而在BGA、CsP组装时,BGA因其球形端子尺寸偏大产生空隙的可能性会少些,而Fc￡SP的组装焊接是近似于裸芯...[全文]
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