在LED中,常利用具有较宽带隙的AlGaN材料作为EBL,将电子限制在有源区量子阱内, L7805从而抑制在大电流注入下,电子溢出到p型层中产生非辐射复合,导致LED的发光效率衰减。如图⒉24(a)所示,在常规无EBL的LED中,工作电流很大时,电子有可能穿越有源区量子阱达到p型层区域,产生漏电流,发生非辐射复合;而在具备EBL的LED 中,如图⒉24(b)所示,无论是n~⒍Ⅸ侧的n~EBL,还是p-GaN侧的p-EBL,其存在均会将电子有效的限制在有源区量子阱内,减小电子漏电流,A,x而提高有源层量子阱内的辐射复合率,进而提高发光效率并抑制效率降低。

   研究表明,通过插入10%~30%A1组分AlGaN EBL,LED样品在小电流下会获得更高的外量子效率(EQE),然而在大电流时其外量子效率并不很理想;其r/曲线中,含EBL的LED在相同的驱动电流下,工作电压略高,其原因是高Al组份的EBL中Mg的激活率低,电阻增大增加附加电压卩3]。

   随后,为了获得更好的性能,研究者开始优化p-AlGaN EBL的生长温度、厚度等因素。他们认为,低温生长的⒉AlGaN EBL相比正常温度生长,更有利于提高器件的发光效率等性能,而其厚度的增加虽然会使得LED的抗静电能力EsD大大提高,但同时也使得LED发光强度出现下降。近年来,有人提出了渐变A1组分这一概念卩钊,虽然相对提高了LED的一些性能,但仍未有较大突破。