- 通过导电银胶将外延片2016/8/10 21:34:28 2016/8/10 21:34:28
- Rooman等利用导电银胶键合的AlGaInPLED在峰值波长为650nm处的最大外量子效率达到43%,在温度为100K时达到的52%u到。AC1501-33先在键合界面处制作反光镜,用来反射有...[全文]
- 全方向反射镜结构(ODR) 2016/8/10 21:32:39 2016/8/10 21:32:39
- 全方向反射镜(ODR)中包括金属层、半导体AC1501-3.3层和低折射率材料层。对于AlGaInPLED,与反光镜接触的是p型电流扩展层GaP。低折射率的介质材料有sio2、Si、、ITo(氧...[全文]
- 转移衬底LED在完成外延结构生长以后,2016/8/9 21:09:19 2016/8/9 21:09:19
- 由MOCVD外延生长在GaAs衬底上的TFLED结构主要包括⒛0nmGaInP腐蚀停层(该层的意义在于去除GaAs衬底时腐蚀GaAs的溶液不腐蚀GaInP起到保护有源区的作用)、Onm⒈GaAs...[全文]
- 倒装芯片结构及工艺流程 2016/8/9 21:03:12 2016/8/9 21:03:12
- 正装的AlGaInP发光二极管由于GaAs的禁带宽度(约141cV)小于AlGaInP的禁带宽度,BATF003G3K50-04R使得有源层射向衬底的光线和上表面反射下来的光线全被衬底吸收,降低...[全文]
- 蒸发透明导电电极材料IT2016/8/9 20:57:01 2016/8/9 20:57:01
- (1)经过外延生长后的外延片首先要进行适当的清洗,如用丙酮、无水乙醇各煮沸两遍,BAF04-24153-0502无水乙醇超声清洗一遍,然后用大量去离子水冲洗,氮气吹干或甩干,以排除其对后道工序的...[全文]
- LED的发光效率超过了白炽灯的151WW2016/8/9 20:52:14 2016/8/9 20:52:14
- 在1980年前后,用AlGaAs为材料,己经用液相外延或者金属有机物化学气相淀积法生长了LED结构。B9P-SHF-1AA最先是日本仙台大学的西泽润一教授研制成功,后来在stan1叩公司发展并进...[全文]
- 具有表面ITo纹理化图形的LED2016/8/8 20:55:41 2016/8/8 20:55:41
- 从图5-39也看出,虽然PS小球的尺寸很均匀,但它很难均匀的涂在ITo的表面,即ITo表面有局部区域没有PS小球作为掩膜,在蚀刻时会将大块的ITo蚀刻掉。FM24V05-G因此很早期就有人想到用...[全文]
- 用光刻和ICP制备的3种纹理化图形2016/8/8 20:40:52 2016/8/8 20:40:52
- 上面的研究实例中纹理化图形密度非常高,单个图形的尺寸在纳米级别,如果将FM24C512-G纹理化图形变小,使单个纹理化图形放大到几微米至十几微米,则上述的应力释放和量子限制斯达克效应缓解的程度明...[全文]
- 通过湿法腐蚀和选取外延生长改变了芯片的形状提高出光功率2016/8/8 20:20:22 2016/8/8 20:20:22
- Hyt1nKyu⒗m等的研究ul]是通过湿法腐蚀和选取外延生长改变了芯片的形状提高出光功率。FM24C04A-G其制作过程如图5-29所示,首先用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnha...[全文]
- 通过PEC选择性氧化和湿法蚀刻2016/8/8 20:15:09 2016/8/8 20:15:09
- 侧腐蚀工艺不仅仅是指将激光烧蚀的残留物湿法去除和将侧壁蚀刻成倒T形,也包括通过蚀刻改变芯片的外形。FGL60N100BNTD有研究者uq在传统的LED样品制作流程完毕后,用800W的汞灯作为光增...[全文]
- 隐形切割可以提高光提取效率2016/8/8 20:10:23 2016/8/8 20:10:23
- GaN基LED芯片制造过程中,隐形切FGA25N120ANTDTU割可以提高光提取效率,在芯片背面的蓝宝石衬底上镀上反射层金属也可以提高光提取效率,但是这两种技术较难结合起来,原因是激光切割对L...[全文]
- p-GaN层一般是高阻层2016/8/7 18:12:17 2016/8/7 18:12:17
- 因为p-GaN的的掺杂浓度很难做到很高,并且掺杂剂Mg的离化率很低,因此p-GaN层一般是高阻层。EP1C3T100C8N所以在p-C・aN表面一般沉积一层透明导电层。早期的透明导...[全文]
- GaN表面的六角锥越来越大2016/8/7 17:53:57 2016/8/7 17:53:57
- 湿法粗化后GaN的表面形貌均方根粗糙度(RMS)与溶液的温度、浓度以及粗化的时间相关。EP1C12Q240I8N粗化后的光电参数不但与粗化后的六角锥大小有关,而且与六角锥的密度有关。一般来讲,溶...[全文]
- 被金属覆盖的区域由于高阻而形2016/8/7 17:26:15 2016/8/7 17:26:15
- 也有研究者根据金属电极吸光、挡光等特性,设计出既能起到电流阻挡的作用,又能E-L7203TR将金属电极下方的有源区发出的光反射回芯片底部lsl,使光在芯片底部的反射层和电极下方的反射层之间发生多...[全文]
- 高压LED互联电极设计2016/8/6 16:05:36 2016/8/6 16:05:36
- 导线电极一般采用直接爬过沟槽的方法制造。高压LED的电极不仅要与n~GaN、p-GaN形成优良的欧姆接触,同时作为互联导线也要具有低的串联电阻,K4S561632H-UC75降低器件的工作电压,...[全文]
- GaN基高压LED结构设计 2016/8/6 15:51:21 2016/8/6 15:51:21
- 高压LED芯片的设计实际上是平面版图设计与工艺相结合的一个芯片结构实现的过程。K4M56163LG-BN75高压LED直流芯片就是在芯片上通过N,P电极连接形成器件的串联结构,如图⒋43所示,而...[全文]
- 高压LED芯片设计及制备工艺 2016/8/6 15:32:01 2016/8/6 15:32:01
- 普通大功率GaNLED的工作电压低(3V左右单颗),电流很大(350mA单颗),因K4B4G1646B-HCK0此在照明电路中通常要经过很复杂的电压转换电路实现2⒛V高压向低电压的转换,由于LE...[全文]
- 晶片键合与激光剥离流程2016/8/6 15:29:15 2016/8/6 15:29:15
- 垂直芯片制备步骤中,晶片键合(wafcrbonding)、激光剥离(lascrliR-off)是制备垂直结构GaN基LED的关键工艺,也是垂直结构与目前LED芯片主流制程(正装、倒装)的重要差异...[全文]
- 垂直结构芯片的制备工艺 2016/8/6 15:25:16 2016/8/6 15:25:16
- 制作GaN基垂直结构LED的工艺主要分成以下几个步骤:表面处理、台面刻蚀、钝K2977M化层的淀积、P电极制作、转移衬底的制备、晶片键合、激光剥离、表面粗化、N电极制作、划片裂片以及封装等。垂直...[全文]
- 垂直结构芯片的制备工艺 2016/8/6 15:25:08 2016/8/6 15:25:08
- 制作GaN基垂直结构LED的工艺主要分成以下几个步骤:表面处理、台面刻蚀、钝K2977M化层的淀积、P电极制作、转移衬底的制备、晶片键合、激光剥离、表面粗化、N电极制作、划片裂片以及封装等。垂直...[全文]
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