Rooman等利用导电银胶键合的AlGaInP LED在峰值波长为650nm处的最大外量子效率达到43%,在温度为100K时达到的52%u到。 AC1501-33先在键合界面处制作反光镜,用来反射有源区向下发射的光子。用聚酰亚胺和金组合制成的反射镜在650nm处的模拟平均反射率是98,4%。通过导电银胶将外延片与GaAs转移衬底键合在一起,同时去掉原GaAs衬底,这样既能够将光更好的反射出去,又能有效地使芯片的热通过新衬底散出c YJ,Lcc等人用Si作转移衬底,电子束蒸发A1/A1203/ITo作反射镜,采用环氧黏合剂作为键合介质制成的AlGaInP LED在⒛mA的注入电流下光功率达到了3.4mWu刨,由于采用了高导热效果的Si材料作衬底,使得器件的散热效果更好,更适合在大电流下工作,具有更长的寿命。⒛⒄年Gcssmann等人卩刊报道了一种介质层为Sio2,开孔填充Auzn合金作为欧姆接触 层,sioi/Ag作为反光镜,银浆作为粘附层的薄膜LED结构如图⒍31所示。另一种结构采用介质/Au形成全反射层,金属键合,金属电极不在发光有源区正上方的设计,如图⒍32所示u剔。此LED外延层生长在4英寸的GaAs衬底上。首先在少AlGaAs电流扩展层上腐蚀出平头金字塔状的结构,腐蚀深度到达有源区,且侧壁有一定斜度。制作p型接触和介质/Au反光镜,而后以金属焊料键合的方式键合到支架上,选择性去除原衬底。最后制作n型接触和表面粗化。p型和n型欧姆接触上下并不对准,避免了n型和p型接触的光遮挡和吸收,有源区发出的光更多的经粗化表面出射。在峰值波长617nm,⒛lnA电流下光效达到95.71m/W。