ping-Wci Huang等人制作了有和无AC1501-33K5LA盘状GaP图形的转移衬底的AlGaInP LED,如图⒍32所示四。MOCVD生长的外延层包括n~GaAs缓冲层,n~GaInP腐蚀停层,⒈GaAs欧姆接触层,川GaInP n型限制层,非故意掺杂的AlGaInP有源区,AlGaInP p型限制层,1.2ump-GaP窗口层。以15HC1△.5H20,∶7CH3CooH的溶液1分钟腐蚀出GaP盘状结构,而后制作ITONyAg焖i反光镜。作为电流扩展层的ITo的厚度为300nm,2nm№层,⒛0nm Ag层和2nm Ni层。之后以金属层键合方式键合到Si衬底上,湿法腐蚀去除GaAs衬底和hGaP腐蚀停层。AWC〃GcAu和T〃Au分别作为n面和p面电极。腐蚀出的盘状表面是平滑的,而侧壁是粗糙的,其SEM图如图⒍33(c)所示。盘状结构LED光输出高的原因并不仅仅反射了向下的光,而且散射了出光锥体以外的光,使其角度可能再次落到出光锥体以内,其光线的路径简单示意图如图6-33所示。LED经测量,盘形3um的直径、3um的间隔、045um的深度可使光输出增加到传统转移衬底的2倍以上。YJ。Lee等人发表了半导体/ITo从1203/Al为全方位反射镜,环氧树脂为黏附剂,湿法腐蚀粗化的平面结构的薄膜LED,如图⒍33(a)所示卩q。反光镜包括300nm ITo电流扩展层、⒛0nm Al203低介质层、⒛Onm Al金属层。经环氧树脂⒛℃键合到Si支架上后,氨水基溶液去除GaAs衬底。去除In05Ga0`腐蚀停层,淀积10nm AuGe,之后光刻、湿法腐蚀出lOnm AuGe/60nm GaAs的半径为7um的欧姆接触点。H3P%∶HCl=5∶1的溶液25℃40s粗化除欧姆接触点以外的⒈AlGaInP区域。淀积ITO,使电流经ITo扩展至各欧姆接触点下的n~AlGaInP。p型接触电极区域经干法刻蚀至反光镜的ITo处,最后淀积光刻CrAu作为N电极和P电极。结构示意图和表面粗化图如⒍33所示,在⒛mA的电流下,粗化后的LED光输出是未粗化LED的1,6倍。