全方向反射镜(ODR)中包括金属层、半导体AC1501-3.3层和低折射率材料层。对于AlGaInP LED,与反光镜接触的是p型电流扩展层GaP。低折射率的介质材料有sio2、Si、、ITo(氧化铟锡,Indium△n Oxidc)等Hl94剑。s⒑2、Si残薄膜不导电,工艺中通过腐蚀导电小孔来解决,也可以通过做成横向电极的方式。ITo透明导电膜为Sn掺杂的In2o3的薄膜,属于重掺n型半导体材料,载流子浓度高达1021数量级,电阻率低至104Ω℃m,禁带宽度为3.5~4cV,可见光区域高达9o%的透射率。ITo膜的载流子主要来自氧空位和替代In3+的Sn4+离子u3,4钊。IT。透明导电膜因其电阻率低,可见光区透过率达到9O%以上在LED中得到了广泛应用。其关键工艺包括反光镜、键合、粗化等。反光镜包括Au、Ag、so2/Au、So2/Ag、ITo/Ag等,键合的方式有银浆键合、金铟键合、金锡键合等。薄膜LED中的oDR包括3层,分别为折射率为刀s的半导体层,″4刀厚的低折射率钩i

的介质层、复折射率为凡n=刀m+F煸的金属层。随角度变化的半导体/金属界面的反射率为:

   在波长ω0nm处,取Siα和ITo的折射率分别为幻il=1,绣、刀Ⅱ2=1.8,Au薄膜的复折射率为99su=0。18、虹u=2,7,半导体GaP的折射率刀GaP=3,3,由式(6-5)和式(6巧)得到Au/GaP、Au/ITo/GaP、Au/Sio./GaP的反射率随角度变化如图6ˉ29所示,三者的平均反射率分别为97.9%,叨。8%和97.7%D习。下面以如图⒍30所示的sio2和ITo oDR结构为例,介绍其制备过程。因⒐o2属于绝缘介质层,要满足导电的特性,在工艺上常采用腐蚀小孔,淀积金属的方式。首先直接溅射1um厚的Au作为欧姆接触层,反光镜,键合层。S⒑20DR的制作:通过PECVD淀积105nm(〃4刀,龙=“onm,刀=1.笱)厚的siα膜;光刻腐蚀出直径5um,周期为18um的小孔;溅射AuznAu (1onln/1onlllJ20Ollm),丙酮剥离;溅射1um厚的Au,用以键合。

   ITo oDR的制作:电子束蒸发98nm(〃4刀,兄=63onm,刀=1.6)的ITO;溅射AuznAu(10nln/10nln/1000nm)。