普通大功率GaN LED的工作电压低(3V左右单颗),电流很大(350mA单颗),因K4B4G1646B-HCK0此在照明电路中通常要经过很复杂的电压转换电路实现2⒛V高压向低电压的转换,由于LED的寿命很长(10万小时),而使用中的转换电路的电子元器件在大电流下工作时的寿命低于LED的寿命,结果导致整个LED灯泡不能正常工作。最早推出高压LED模块的是美国普瑞公司,他把很多封装好的小功率LED串联在基板上,构成大功率的高压LED模块,后来又出现了集成封装形式的所谓COB LED,即把一颗颗分离的LED芯片在封装时集成到一个散热基板上,进行串并联连接来形成高压封装LED。本小节所讲的高压LED芯片(Ⅲ吵VoltagC Ⅱght Emitting Diodc,HV LED)是指一种新结构的高压LED芯片,是在芯片制造过程中通过将相互隔离的发光单元之间通过电极连接来实现的,图⒋40是几种高压LED示意图。